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聚焦于InAs/GaSb II类超晶格材料体系，主导其关键微纳结构刻蚀工艺的研发与优化。 2.本岗位的核心职责是运用ICP刻蚀设备，通过精确调控等离子体工艺参数，实现超晶格材料的高精度、低损伤图形化。 3.需要深入探究刻蚀过程中的气体化学、侧壁形貌控制与终点监控，致力于解决制约器件性能的界面损伤和暗电流等核心挑战。将与光刻、镀膜等工艺段紧密协作，确保工艺整合的顺利实现，为研制出具有竞争力的红外探测器芯片提供坚实的工艺基石。